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IPB06N03LA +BOM

MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

IPB06N03LA Descrizione generale

Whether you need to upgrade existing equipment or design a new electronic system, the IPB06N03LA offers a reliable solution for high-power requirements. Its N-Channel design and TO-263 package make it easy to integrate into your circuit design, while its high current rating and low on-state resistance ensure efficient and reliable performance in demanding environments

Caratteristiche principali

LOGIC LEVEL COMPATIBLE

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

Source Content uid IPB06N03LA Part Life Cycle Code Obsolete
Pin Count 4 Reach Compliance Code not_compliant
ECCN Code EAR99 Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Avalanche Energy Rating (Eas) 225 mJ Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 25 V
Drain Current-Max (ID) 50 A Drain-source On Resistance-Max 0.0095 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JEDEC-95 Code TO-263AB
JESD-30 Code R-PSSO-G2 JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 1
Number of Terminals 2 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 175 °C Peak Reflow Temperature (Cel) 220
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 83 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 350 A Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form GULL WING Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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