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IKZ75N65EL5XKSA1 +BOM

IGBT 650 V 100 A 536 W Through Hole PG-TO247-4

Produttore:

Infineon
ProduttorePart #:

IKZ75N65EL5XKSA1
Scheda dati:

IKZ75N65EL5XKSA1 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

650 V
EDA/CAD Modelli:

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IKZ75N65EL5XKSA1 Descrizione generale

IGBT 650 V 100 A 536 W Through Hole PG-TO247-4

Specifiche

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	650 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.1 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	100 A
Pd - Power Dissipation	536 W	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Series	TRENCHSTOP 5 L5
Gate-Emitter Leakage Current	100 nA	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	240	Subcategory	IGBTs
Tradename	TRENCHSTOP	Part # Aliases	IKZ75N65EL5 SP001174456

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