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IKW50N65WR5XKSA1 +BOM

IGBT Trench 650 V 80 A 282 W Through Hole PG-TO247-3

Produttore:

Infineon
ProduttorePart #:

IKW50N65WR5XKSA1
Scheda dati:

IKW50N65WR5XKSA1 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

650 V
EDA/CAD Modelli:

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

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IKW50N65WR5XKSA1 Descrizione generale

IGBT Trench 650 V 80 A 282 W Through Hole PG-TO247-3

Specifiche

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	650 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.4 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	80 A
Pd - Power Dissipation	282 W	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Series	TRENCHSTOP 5 WR5
Gate-Emitter Leakage Current	100 nA	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	240	Subcategory	IGBTs
Tradename	TRENCHSTOP	Part # Aliases	IKW50N65WR5 SP001215522
Unit Weight	0.213294 oz

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