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IKQ50N120CH3XKSA1 +BOM

IGBT 1200 V 100 A 652 W Through Hole PG-TO247-3-46

Produttore:

Infineon
ProduttorePart #:

IKQ50N120CH3XKSA1
Scheda dati:

IKQ50N120CH3XKSA1 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1.2 kV
EDA/CAD Modelli:

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IKQ50N120CH3XKSA1 Descrizione generale

IGBT 1200 V 100 A 652 W Through Hole PG-TO247-3-46

Specifiche

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV	Collector-Emitter Saturation Voltage	2 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	100 A
Pd - Power Dissipation	652 W	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Series	IGBT HighSpeed 3
Continuous Collector Current Ic Max	100 A	Gate-Emitter Leakage Current	100 nA
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	240
Subcategory	IGBTs	Tradename	TRENCHSTOP
Part # Aliases	IKQ50N120CH3 SP001272708	Unit Weight	0.211644 oz

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