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The IHW30N135R3 IGBT transistor combines high power capability with the innovative TrenchStop RC design for enhanced efficiency and durability
TO-247-3Produttore:
ProduttorePart #:
IHW30N135R3
Scheda dati:
IGBT Type:
Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):
1350 V
Current - Collector (Ic) (Max):
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm):
90 A
EDA/CAD Modelli:
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Infineon IHW30N135R3, IGBT Transistor, 30 A Dual 1350 V, 3-Pin PG-TO-247
IGBT Type | Trench Field Stop | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1350 V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 60 A | Current - Collector Pulsed (Icm) | 90 A |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 30A | Power - Max | 349 W |
Switching Energy | 1.93mJ (off) | Input Type | Standard |
Gate Charge | 263 nC | Td (on/off) @ 25°C | -/337ns |
Test Condition | 600V, 30A, 10Ohm, 15V | Reverse Recovery Time (trr) | - |
Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) | Mounting Type | Through Hole |
Product Category | IGBT Transistors | Technology | Si |
Mounting Style | Through Hole | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1.35 kV | Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.65 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, 20 V | Continuous Collector Current at 25 C | 60 A |
Pd - Power Dissipation | 349 W | Minimum Operating Temperature | - 40 C |
Maximum Operating Temperature | + 175 C | Series | RC |
Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA | Product Type | IGBT Transistors |
Factory Pack Quantity | 240 | Subcategory | IGBTs |
Tradename | TRENCHSTOP | Part # Aliases | IHW3N135R3XK SP000989496 IHW30N135R3FKSA1 |
Unit Weight | 0.211644 oz |
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Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
1+ | $3,914 | $3,91 |
10+ | $3,388 | $33,88 |
30+ | $3,076 | $92,28 |
100+ | $2,759 | $275,90 |
500+ | $2,612 | $1.306,00 |
1000+ | $2,548 | $2.548,00 |
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