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IAUC24N10S5L300ATMA1 +BOM

High-reliability, high-efficiency current sensor IC with advanced noise reduction feature

Produttore:

Infineon Technologies Corporation
ProduttorePart #:

IAUC24N10S5L300ATMA1
Scheda dati:

IAUC24N10S5L300ATMA1 Scheda dati (PDF)
Series:

OptiMOS™-5
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

100 V
EDA/CAD Modelli:

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IAUC24N10S5L300ATMA1 Descrizione generale

N-Channel 100 V 24A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-33

Infineon Technologies Corporation inventario

Caratteristiche principali

OptiMOS 5 - power MOSFET for automotive applications
N-channel - Enhancement mode - Logic Level
AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Green Product (RoHS compliant)
100% Avalanche tested
Infineon Automotive Quality
Extended qualification beyond AEC Q101
Enhanced testing
Advanced adhesion against delamination
Complementary testing for board level reliability

Infineon Technologies Corporation Stock originale

Specifiche

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	OptiMOS™-5
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	24A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	30mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 12µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	670 pF @ 50 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	38W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	IAUC24	RHoS	yes
PBFree	yes	HalogenFree	yes

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