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IAUC120N04S6N009ATMA1 +BOM

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

Produttore:

Infineon Technologies Corporation
ProduttorePart #:

IAUC120N04S6N009ATMA1
Scheda dati:

IAUC120N04S6N009ATMA1 Scheda dati (PDF)
Series:

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

40 V

IAUC120N04S6N009ATMA1 Descrizione generale

N-Channel 40 V 120A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-33

Infineon Technologies Corporation inventario

Caratteristiche principali

OptiMOS - power MOSFET for automotive applications
N-channel - Enhancement mode - Normal Level
AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Green Product (RoHS compliant)
100% Avalanche tested

Infineon Technologies Corporation Stock originale

Specifiche

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.9mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.4V @ 90µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	115 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7360 pF @ 25 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	150W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	IAUC120	RHoS	yes
PBFree	yes	HalogenFree	yes

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