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IAUC100N10S5N040ATMA1 +BOM

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

Produttore:

Infineon Technologies Corporation
ProduttorePart #:

IAUC100N10S5N040ATMA1
Scheda dati:

IAUC100N10S5N040ATMA1 Scheda dati (PDF)
Series:

OptiMOS™-5
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

100 V
EDA/CAD Modelli:

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IAUC100N10S5N040ATMA1 Descrizione generale

With its high-precision current sense amplifier and precision shunt voltage reference, the IAUC100N10S5N040ATMA1 offers engineers and designers a versatile solution for accurate current sensing and monitoring. This hybrid integrated circuit is designed to provide reliable performance in a variety of electronic systems, from power management and battery monitoring to motor control applications. Its compact size and easy integration make it a convenient and cost-effective choice for applications where space is limited, without compromising on accuracy or reliability. Whether you are working on a complex industrial system or a compact consumer electronic device, the IAUC100N10S5N040ATMA1 is the perfect choice for precise current sensing and monitoring

Infineon Technologies Corporation inventario

Infineon Technologies Corporation Stock originale

Specifiche

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	OptiMOS™-5
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.8V @ 90µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	78 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5200 pF @ 50 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	167W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	IAUC100	RHoS	yes
PBFree	yes	HalogenFree	yes

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L**y 01/16/2024

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A**n 11/29/2023

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N**? 07/10/2021

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