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IAUC100N04S6L025ATMA1 +BOM

N-Channel 40 V 100A (Tc) 62W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8

Produttore:

Infineon Technologies Corporation
ProduttorePart #:

IAUC100N04S6L025ATMA1
Scheda dati:

IAUC100N04S6L025ATMA1 Scheda dati (PDF)
Series:

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

40 V
EDA/CAD Modelli:

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IAUC100N04S6L025ATMA1 Descrizione generale

N-Channel 40 V 100A (Tc) 62W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8

Infineon Technologies Corporation inventario

Caratteristiche principali

OptiMOS
TM
N-channel - Enhancement mode - Logic Level
AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Green Product (RoHS compliant)
100% Avalanche tested

Infineon Technologies Corporation Stock originale

Specifiche

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.56mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 24µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	34 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±16V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2019 pF @ 25 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	62W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	IAUC100	RHoS	yes
PBFree	yes	HalogenFree	yes

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