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HN4B04J(TE85L,F) +BOM

Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq -120V PNP PNP -0.1A

Produttore:

Toshiba
ProduttorePart #:

HN4B04J(TE85L,F)
Scheda dati:

HN4B04J(TE85L,F) Scheda dati (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN, PNP
Configuration:

Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

30 V

HN4B04J(TE85L,F) Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 500mA 200MHz 300mW Surface Mount SMV

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN, PNP	Configuration	Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	30 V	Collector- Base Voltage VCBO	35 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	100 mV
Maximum DC Collector Current	500 mA	Pd - Power Dissipation	300 mW
Gain Bandwidth Product fT	200 MHz, 300 MHz	Series	HN4B04
Continuous Collector Current	500 mA	DC Collector/Base Gain hfe Min	70
DC Current Gain hFE Max	240	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	Transistors
Technology	Si

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