Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

HN1C01FE-GR,LF +BOM

Bipolar Transistors - BJT Transistor for Small Signal Amp

Produttore:

Toshiba
ProduttorePart #:

HN1C01FE-GR,LF
Scheda dati:

HN1C01FE-GR,LF Scheda dati (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

50 V

HN1C01FE-GR,LF Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V	Collector- Base Voltage VCBO	60 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	100 mV
Maximum DC Collector Current	150 mA	Pd - Power Dissipation	100 mW
Gain Bandwidth Product fT	80 MHz	Minimum Operating Temperature	-
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Qualification	AEC-Q101
Series	HN1C01	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	4000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Unit Weight	0.000106 oz

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..