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HN1B04FU-GR,LF +BOM

Bipolar transistors for low frequency small-signal amplification

Produttore:

Toshiba
ProduttorePart #:

HN1B04FU-GR,LF
Scheda dati:

HN1B04FU-GR,LF Scheda dati (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN, PNP
Configuration:

Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

50 V

HN1B04FU-GR,LF Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor Array 1 NPN, 1 PNP 50V 150mA 150MHz 200mW Surface Mount US6

Applicazione

Driver Stage Amplifier Applications

Switching application

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN, PNP	Configuration	Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V	Collector- Base Voltage VCBO	60 V, 50 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	100 mV
Maximum DC Collector Current	150 mA	Pd - Power Dissipation	200 mW
Gain Bandwidth Product fT	150 MHz, 120 MHz	Minimum Operating Temperature	-
Maximum Operating Temperature	+ 125 C	Qualification	AEC-Q101
Series	HN1B04	DC Collector/Base Gain hfe Min	120
DC Current Gain hFE Max	400	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Unit Weight	0.000265 oz

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