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HN1B01F-GR(TE85L,F +BOM

Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SM T/R

Produttore:

Toshiba
ProduttorePart #:

HN1B01F-GR(TE85L,F
Scheda dati:

HN1B01F-GR(TE85L,F Scheda dati (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN, PNP
Configuration:

Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

50 V

Avaq Semiconductor offre il driver HN1B01F-GR(TE85L,F altamente versatile e affidabile, prodotto da Toshiba. Con le sue capacità multifunzionali e ad alte prestazioni, questo componente è una scelta eccellente per un'ampia gamma di progetti elettronici.

Per garantire di avere tutte le informazioni necessarie per sfruttare al meglio questo componente, Avaq fornisce una scheda tecnica PDF gratuita, nonché schemi elettrici, layout dei pin, dettagli dei pin, valori di tensione dei pin e componenti equivalenti per il HN1B01F-GR(TE85L,F.

Avaq offre anche campioni gratuiti. Basta compilare e inviare il modulo di richiesta campione per ricevere i campioni gratuiti da testare. Se avete domande, non esitate a contattarci in qualsiasi momento.

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN, PNP	Configuration	Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V	Collector- Base Voltage VCBO	60 V, 50 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	100 mV
Maximum DC Collector Current	150 mA	Pd - Power Dissipation	300 mW
Gain Bandwidth Product fT	150 MHz, 120 MHz	Minimum Operating Temperature	-
Maximum Operating Temperature	+ 125 C	Series	HN1B01
DC Collector/Base Gain hfe Min	120	DC Current Gain hFE Max	400
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Unit Weight	0.000529 oz

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..