Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

GT50J301 +BOM

IGBT Transistors 3PL IGBT PP2 Obsolete

Produttore:

Toshiba
ProduttorePart #:

GT50J301
Scheda dati:

GT50J301 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

600 V
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per GT50J301

GT50J301 Descrizione generale

IGBT Transistors 3PL IGBT PP2,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(11-01)/OBSOLETE(11-04),

Caratteristiche principali

HIGH SPEED

Applicazione

POWER CONTROL

Specifiche

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V	Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, + 20 V
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	GT50J301	Continuous Collector Current Ic Max	50 A
Height	26 mm	Length	20.5 mm
Product Type	IGBT Transistors	Subcategory	IGBTs
Width	5.2 mm

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..