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Power MOSFET, P-Channel, QFET®, -60 V, -12 A, 135 mΩ, IPAK
I-PAKProduttore:
ProduttorePart #:
FQU17P06TU
Scheda dati:
Pbfree Code:
Yes
Part Life Cycle Code:
End Of Life
Reach Compliance Code:
not_compliant
ECCN Code:
EAR99
EDA/CAD Modelli:
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Designed using ON Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology, the FQU17P06TU P-Channel enhancement mode power MOSFET is engineered to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. Its high avalanche energy strength makes it an ideal choice for applications including switched mode power supplies, audio amplifiers, DC motor control, and variable switching power
Source Content uid | FQU17P06TU | Pbfree Code | Yes |
Part Life Cycle Code | End Of Life | Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN Code | EAR99 | Factory Lead Time | 31 Weeks, 4 Days |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 300 mJ | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 60 V | Drain Current-Max (ID) | 12 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.135 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95 Code | TO-251 | JESD-30 Code | R-PSIP-T3 |
JESD-609 Code | e3 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 3 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 150 °C | Polarity/Channel Type | P-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 44 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 48 A |
Qualification Status | Not Qualified | Surface Mount | NO |
Terminal Finish | MATTE TIN | Terminal Form | THROUGH-HOLE |
Terminal Position | SINGLE | Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
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Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
1+ | $0,617 | $0,62 |
10+ | $0,514 | $5,14 |
30+ | $0,462 | $13,86 |
70+ | $0,411 | $28,77 |
490+ | $0,380 | $186,20 |
980+ | $0,365 | $357,70 |
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