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FQPF14N30 +BOM

Product FQPF14N30: MOSFET 300V N-Channel QFET

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

FQPF14N30
Scheda dati:

FQPF14N30 Scheda dati (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

300 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

8.5A (Tc)
EDA/CAD Modelli:

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FQPF14N30 Descrizione generale

With a continuous drain current of 14A, the FQPF14N30 can effectively manage high currents, making it an ideal choice for various applications. Its low on-resistance of 0.16 ohms is instrumental in minimizing power loss and enhancing overall system efficiency, ensuring optimal performance and cost-effectiveness

Specifiche

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	300 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	8.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	290mOhm @ 4.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1360 pF @ 25 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	50W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole

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