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FQPF10N60C +BOM

Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 600 V, 9.5 A, 730 mΩ, TO-220F

FQPF10N60C Descrizione generale

The FQPF10N60C is an N-Channel enhancement mode power field effect transistor that is manufactured using ON Semiconductor's advanced proprietary technology. This technology, known as planar stripe DMOS, has been specifically designed to minimize on-state resistance, improve switching performance, and withstand high energy pulses in avalanche and commutation modes. These features make the FQPF10N60C ideal for use in high-efficiency switched mode power supplies, active power factor correction, and electronic lamp ballasts based on half bridge topology. With its superior capabilities, this transistor is sure to meet the demands of power systems that require efficient and reliable performance

Caratteristiche principali

  • 9.5 A, 600 V, RDS(on) = 730 mΩ (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 4.75 A
  • Low Gate Charge (Typ. 44 nC)
  • Low Crss (Typ. 18 pF)
  • 100% Avalanche Tested

Specifiche

Product Category MOSFET REACH Details
Technology Si Mounting Style Through Hole
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 600 V Id - Continuous Drain Current 9.5 A
Rds On - Drain-Source Resistance 730 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 4 V Qg - Gate Charge 44 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 50 W Channel Mode Enhancement
Series FQPF10N60C Configuration Single
Fall Time 77 ns Height 16.3 mm
Length 10.67 mm Product Type MOSFET
Rise Time 69 ns Factory Pack Quantity 1000
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Type MOSFET Typical Turn-Off Delay Time 144 ns
Typical Turn-On Delay Time 23 ns Width 4.7 mm
Part # Aliases FQPF10N60C_NL Unit Weight 0.068784 oz

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