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FQP90N10V2 +BOM

FQP90N10V2: Next-Generation N-Channel MOSFET for Advanced Voltage Control

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

FQP90N10V2
Scheda dati:

FQP90N10V2 Scheda dati (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

90A (Tc)
EDA/CAD Modelli:

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FQP90N10V2 Descrizione generale

N-Channel 100 V 90A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220-3

Caratteristiche principali

71A, 80V, RDS(on) = 0.016Ω @VGS = 10 V
Low gate charge ( typical 84 nC)
Low Crss ( typical 200 pF)
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
175°C maximum junction temperature rating

Specifiche

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	90A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	10mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	191 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6150 pF @ 25 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	250W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole

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