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FQP6N80C +BOM

Power transistor with N-channel enhancement mode for high voltage applications

FQP6N80C Descrizione generale

The FQP6N80C N-Channel power MOSFET from ON Semiconductor features state-of-the-art planar stripe and DMOS technology, enabling it to offer unmatched performance in various power applications. With a focus on reducing on-state resistance and enhancing switching capabilities, this MOSFET is a top choice for applications like switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts. Its high avalanche energy strength ensures reliable operation even under challenging conditions, making it a reliable solution for critical power management needs

Caratteristiche principali

  • Achieve high-speed switching
  • Low power consumption ensured
  • Fast turn-off capability guaranteed
  • Compact design for space-saving
  • High surge current handling capability
  • Precise temperature control available

Applicazione

  • Energy
  • Telecommunications
  • Real Estate

Specifiche

Source Content uid FQP6N80C Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Active Reach Compliance Code not_compliant
ECCN Code EAR99 Factory Lead Time 28 Weeks
Application SWITCHING Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JEDEC-95 Code TO-220AB
JESD-30 Code R-PSFM-T3 Number of Elements 1
Number of Terminals 3 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Surface Mount NO
Terminal Finish MATTE TIN Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE Transistor Element Material SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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