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FQP4N90C +BOM

TO-220 Three-Pin N-Channel MOSFET with 900V Voltage Rating and 4A Capacity

Produttore:

Onsemi
ProduttorePart #:

FQP4N90C
Scheda dati:

FQP4N90C Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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FQP4N90C Descrizione generale

QFET 900 V N-CHANNEL MOSFET Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 900V, 4.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

Caratteristiche principali

High surge capability
Low leakage current
Silicon carbide construction

Applicazione

Brighten up your space
Illuminate with style
Add some ambiance

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	900 V
Id - Continuous Drain Current	4 A	Rds On - Drain-Source Resistance	4.2 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 30 V, + 30 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V
Qg - Gate Charge	22 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	140 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	QFET
Series	FQP4N90C	Configuration	Single
Fall Time	35 ns	Forward Transconductance - Min	5 S
Height	16.3 mm	Length	10.67 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	50 ns
Factory Pack Quantity	1000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	40 ns	Typical Turn-On Delay Time	25 ns
Width	4.7 mm	Unit Weight	0.068784 oz

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Valutazioni e recensioni

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