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FQD3P50TM +BOM

QFET MOSFET P-Channel 500V

Produttore:

Onsemi
ProduttorePart #:

FQD3P50TM
Scheda dati:

FQD3P50TM Scheda dati (PDF)
Compliance:

PbAHP
Case Outline:

369AS
MSL Type:

1
MSL Temp (°C):

260

FQD3P50TM Descrizione generale

The FQD3P50TM stands out as a premier choice for those seeking high-performance power MOSFET technology. Crafted using a unique planar stripe and DMOS design, this MOSFET is at the forefront of innovation in the industry. Its specialized construction results in reduced on-state resistance, delivering superior switching performance and unparalleled avalanche energy strength. Ideal for applications such as switched mode power supplies and electronic lamp ballasts, the FQD3P50TM offers reliable and efficient power management solutions

Caratteristiche principali

High voltage rating, V_RR = 500V
Low inductance package, L_esr = 2.5nH
High efficiency operation, F_OM = 98%
Wide operating temperature range (-55°C to 125°C)

Applicazione

Outdoor landscape lighting
Energy efficient solutions
Modern pendant fixtures

Specifiche

Status	Active	Compliance	PbAHP
Case Outline	369AS	MSL Type	1
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL
Container Qty.	2500	ON Target	Y
Channel Polarity	P-Channel	Configuration	Single
V(BR)DSS Min (V)	-500	VGS Max (V)	±30
VGS(th) Max (V)	-5	ID Max (A)	-2.1
PD Max (W)	50	RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)	4900
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)	18	Ciss Typ (pF)	510
Pricing ($/Unit)	$0.546Sample

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