Metodo di pagamento
![hsbc](/img/service-policies-hsbc.png)
![paypal](/img/service-policies-paypal.png)
![wu](/img/service-policies-wu.png)
![mg](/img/service-policies-mg.png)
N-Channel 800 V 1A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount TO-252AA
DPAKProduttore:
ProduttorePart #:
FQD1N80TM
Scheda dati:
Pbfree Code:
Yes
Part Life Cycle Code:
Active
Reach Compliance Code:
not_compliant
ECCN Code:
EAR99
EDA/CAD Modelli:
Compila il breve modulo sottostante e ti forniremo immediatamente il preventivo.
The FQD1N80TM is a top-of-the-line N-Channel enhancement mode power MOSFET that is designed to deliver exceptional performance in a variety of applications. Its proprietary planar stripe and DMOS technology work together to reduce on-state resistance, enhance switching performance, and provide superior avalanche energy strength. These features make the FQD1N80TM an excellent choice for applications such as switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts. Engineers and designers can trust the FQD1N80TM to deliver reliable and efficient power management solutions
Source Content uid | FQD1N80TM | Pbfree Code | Yes |
Part Life Cycle Code | Active | Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN Code | EAR99 | Factory Lead Time | 4 Weeks |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 90 mJ | Case Connection | DRAIN |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 800 V |
Drain Current-Max (ID) | 1 A | Drain-source On Resistance-Max | 20 Ω |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95 Code | TO-252 |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 | JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 2 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 150 °C | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 45 W |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 4 A | Qualification Status | Not Qualified |
Surface Mount | YES | Terminal Finish | MATTE TIN |
Terminal Form | GULL WING | Terminal Position | SINGLE |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 | Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione
Metodo di pagamento
Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:
[email protected]metodo di spedizione
AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..
Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
Promettiamo di fornire un servizio di garanzia della qualità di 365 giorni per tutti i nostri prodotti.
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
1+ | - | - |
I prezzi sottostanti sono solo di riferimento.
Tutte le distinte materiali (BOM) possono essere inviate via e-mail a
[email protected],
oppure compila il modulo sottostante per richiedere un preventivo per FQD1N80TM, preventivi garantiti entro
12 ore.