Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

FQB5N90TM +BOM

Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 900 V, 5.4 A, 2.3 Ω, D2PAK

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

FQB5N90TM
Scheda dati:

FQB5N90TM Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per FQB5N90TM

FQB5N90TM Descrizione generale

The FQB5N90TM power MOSFET is built using advanced MOSFET technology tailored to minimize on-state resistance while delivering superior switching performance and high avalanche energy strength. These features make it a suitable choice for applications such as switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts

Caratteristiche principali

Ultra-low leakage current (Typ. 10nA)
Fast switching time (Typ. 100ns)
Avalanche tested for high-reliability applications
Rise and fall times (Typ. 50/20ns)

Applicazione

Shine bright at night
Light the way forward
Glow with elegance

Specifiche

Source Content uid	FQB5N90TM	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	51 Weeks
Avalanche Energy Rating (Eas)	660 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	900 V
Drain Current-Max (ID)	5.4 A	Drain-source On Resistance-Max	2.3 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	TO-263AB
JESD-30 Code	R-PSSO-G2	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	2	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	245
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	158 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	21.6 A	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	MATTE TIN
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..