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Three-pin TO-3PN package with tab for N-channel 900V 9A MOSFET
TO-3PN-3Produttore:
ProduttorePart #:
FQA9N90C
Scheda dati:
FET Type:
N-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):
900 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
9A (Tc)
EDA/CAD Modelli:
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N-Channel 900 V 9A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-3P
FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 4.5A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±30V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2730 pF @ 25 V |
FET Feature | - | Power Dissipation (Max) | 280W (Tc) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Through Hole |
Product Category | MOSFET | Mounting Style | Through Hole |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 900 V | Id - Continuous Drain Current | 9 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 1.4 Ohms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 30 V, + 30 V |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 280 W | Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single | Fall Time | 75 ns |
Forward Transconductance - Min | 9.2 S | Height | 20.1 mm |
Length | 16.2 mm | Product Type | MOSFET |
Rise Time | 120 ns | Factory Pack Quantity | 30 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
Type | MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time | 100 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 50 ns | Width | 5 mm |
Part # Aliases | FQA9N90C_NL | Unit Weight | 0.162260 oz |
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Qualità garantita
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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