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FQA11N90C +BOM

C-Series 900V N-Channel MOSFET

FQA11N90C Descrizione generale

Designed for high-power applications that require efficient switching and low on-state resistance, the FQA11N90C power MOSFET transistor offers exceptional performance. With a breakdown voltage of 900V and a continuous drain current rating of 11A, it is well-suited for power supply, motor control, and lighting applications where high efficiency is paramount. The transistor's low on-state resistance of 0.65Ω minimizes power dissipation, while its gate charge of 59nC and gate-source threshold voltage of 4V enable fast and reliable switching performance. Housed in a TO-3P package, the FQA11N90C provides superior thermal performance and effortless PCB mounting

Caratteristiche principali

  • Silicon-based power semiconductor device performance
  • Efficient power conversion solution operation
  • Fast switching speed and high efficiency
  • Rugged and reliable electronic component design
  • Compact and lightweight packaging technology

Applicazione

  • Power supplies
  • Motors
  • Lighting

Specifiche

Product Category MOSFET Technology Si
Mounting Style Through Hole Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 900 V
Id - Continuous Drain Current 11 A Rds On - Drain-Source Resistance 1.4 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage - 30 V, + 30 V Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 300 W
Channel Mode Enhancement Configuration Single
Fall Time 85 ns Forward Transconductance - Min 9 S
Height 20.1 mm Length 16.2 mm
Product Type MOSFET Rise Time 130 ns
Factory Pack Quantity 30 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Type MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 130 ns Typical Turn-On Delay Time 60 ns
Width 5 mm Part # Aliases FQA11N90C_NL
Unit Weight 0.162260 oz

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