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Vedi Specifiche Tecniche

FMH23N50E +BOM

N-Channel MOSFET with TO package and Super FAP-E technolog

Produttore:

Fuji Electric
ProduttorePart #:

FMH23N50E
Scheda dati:

FMH23N50E Scheda dati (PDF)
Mount:

Through Hole
Number Of Pins:

3
Drain To Source Breakdown Voltage:

500 V
Drain To Source Resistance:

245 mΩ
EDA/CAD Modelli:

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

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Caratteristiche principali

1. Maintains both low power loss and low noise

2. Lower RDS(on) characteristic

3. More controllable switching dv/dt by gate resistance

4. Smaller VGSringing waveform during switching

5. Narrow band of the gate threshold voltage (3.00.5V)

6. High avalanche durability

Specifiche

Mount	Through Hole	Number of Pins	3
Drain to Source Breakdown Voltage	500 V	Drain to Source Resistance	245 mΩ
Element Configuration	Single	Gate to Source Voltage (Vgs)	30 V
Max Operating Temperature	150 °C	Min Operating Temperature	-55 °C
Power Dissipation	315 W	Turn-Off Delay Time	150 ns
Turn-On Delay Time	24 ns	Height	19.5072 mm
Length	15.494 mm	Width	4.4958 mm

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