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FHX13LG +BOM

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE LG, SMT, 4 PIN

  • Produttore:

    FUJITSU/SUMITOMO

  • ProduttorePart #:

    FHX13LG

  • Scheda dati:

    FHX13LG Scheda dati (PDF) pdf-icon

  • Pbfree Code:

    Yes

  • Part Life Cycle Code:

    Transferred

  • Pin Count:

    4

  • ECCN Code:

    EAR99

FHX13LG Descrizione generale

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE LG, SMT, 4 PIN

Caratteristiche principali

  • High Transconductance
  • Low Leakage Current
  • Low Gate Capacitance
  • Gold Bonding System
  • Proven Reliability

Specifiche

Pbfree Code Yes Part Life Cycle Code Transferred
Pin Count 4 Reach Compliance Code
ECCN Code EAR99 Additional Feature HIGH RELIABILITY
Case Connection SOURCE Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 3.5 V FET Technology HIGH ELECTRON MOBILITY
Highest Frequency Band KU BAND JESD-30 Code O-CRDB-F4
Number of Elements 1 Number of Terminals 4
Operating Mode DEPLETION MODE Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Gain-Min (Gp) 11 dB
Qualification Status Not Qualified Surface Mount YES
Terminal Form FLAT Terminal Position RADIAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material GALLIUM ARSENIDE

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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