Metodo di pagamento
![hsbc](/img/service-policies-hsbc.png)
![paypal](/img/service-policies-paypal.png)
![wu](/img/service-policies-wu.png)
![mg](/img/service-policies-mg.png)
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE LG, SMT, 4 PIN
GD-24Produttore:
FUJITSU/SUMITOMO
ProduttorePart #:
FHX13LG
Scheda dati:
Pbfree Code:
Yes
Part Life Cycle Code:
Transferred
Pin Count:
4
ECCN Code:
EAR99
Compila il breve modulo sottostante e ti forniremo immediatamente il preventivo.
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE LG, SMT, 4 PIN
Pbfree Code | Yes | Part Life Cycle Code | Transferred |
Pin Count | 4 | Reach Compliance Code | |
ECCN Code | EAR99 | Additional Feature | HIGH RELIABILITY |
Case Connection | SOURCE | Configuration | SINGLE |
DS Breakdown Voltage-Min | 3.5 V | FET Technology | HIGH ELECTRON MOBILITY |
Highest Frequency Band | KU BAND | JESD-30 Code | O-CRDB-F4 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 4 |
Operating Mode | DEPLETION MODE | Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Gain-Min (Gp) | 11 dB |
Qualification Status | Not Qualified | Surface Mount | YES |
Terminal Form | FLAT | Terminal Position | RADIAL |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED | Transistor Application | AMPLIFIER |
Transistor Element Material | GALLIUM ARSENIDE |
Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione
Metodo di pagamento
Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:
[email protected]metodo di spedizione
AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..
Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
Promettiamo di fornire un servizio di garanzia della qualità di 365 giorni per tutti i nostri prodotti.
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
1+ | - | - |
I prezzi sottostanti sono solo di riferimento.
Tutte le distinte materiali (BOM) possono essere inviate via e-mail a
[email protected],
oppure compila il modulo sottostante per richiedere un preventivo per FHX13LG, preventivi garantiti entro
12 ore.
2N2222
Stmicroelectronics
1000+ $0,587
BC547
Onsemi
NPN Epitaxial Silicon Transistor
ULN2003
Onsemi
Versatile device for driving heavy loads and motor
IRF3205
Infineon
TO-220AB Tube Power Transistor with N-Channel Silicon
TAN15
Microchip
The TAN is a robust NPN transistor designed for high-frequency applications, capable of operating at up to V and continuous curren