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FFSH5065B-F085 +BOM

Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 50A, 650V, D2, TO-247-2L

Produttore:

ON Semiconductor, LLC
ProduttorePart #:

FFSH5065B-F085
Scheda dati:

FFSH5065B-F085 Scheda dati (PDF)
MSL Temp (°C):

0
Container Type:

TUBE
EDA/CAD Modelli:

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FFSH5065B-F085 Descrizione generale

To sum it up, the FFSH5065B-F085 stands out as a top-of-the-line RF semiconductor that combines advanced technology with practical design elements. Whether you are looking to enhance your Wi-Fi network or bolster your high-speed data transmission systems, this semiconductor is sure to exceed your expectations with its superior performance and unmatched reliability

Caratteristiche principali

Max Junction Temperature 175°C
Avalanche Rated 225 mJ
High Surge Current Capacity
Positive Temperature Coefficient
Ease of Paralleling
No Reverse Recovery / No Forward Recovery
AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable

Applicazione

Technology
Innovation
Efficiency

Specifiche

Status	Active	Case Outline
MSL Temp (°C)	0	Container Type	TUBE

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

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Grammo dei soldi

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Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

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Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..