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FFSH2065B-F085 +BOM

Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20A, 650V, D2, TO-247-2L

Produttore:

ON Semiconductor, LLC
ProduttorePart #:

FFSH2065B-F085
Scheda dati:

FFSH2065B-F085 Scheda dati (PDF)
MSL Temp (°C):

0
Container Type:

TUBE
EDA/CAD Modelli:

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FFSH2065B-F085 Descrizione generale

Introducing the FFSH2065B-F085 EliteSiC Schottky Diode, a revolutionary power semiconductor utilizing state-of-the-art Silicon Carbide technology. This diode offers unparalleled switching performance and greater reliability compared to conventional Silicon diodes. With no reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and exceptional thermal performance, the EliteSiC Schottky Diode represents the future of power semiconductor technology. Experience the benefits of increased system efficiency, higher operating frequencies, greater power density, reduced EMI, and minimized system size and cost. Whether used in industrial power supplies, power factor correction, motor drives, or renewable energy applications, this diode sets a new standard for power semiconductor devices

Caratteristiche principali

Max Junction Temperature 175C
Avalanche Rated 94 mJ
High Surge Current Capacity
Positive Temperature Coefficient
Ease of Paralleling
No Reverse Recovery / No Forward Recovery
AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable

Applicazione

Automotive HEV-EV Onboard Chargers
Automotive HEV-EV DC-DC Converters

Specifiche

Status	Active	Case Outline
MSL Temp (°C)	0	Container Type	TUBE

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

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