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Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 40 A, 650 V, D1, TO-247-3L
TO-247-3Produttore:
onsemi
ProduttorePart #:
FFSH4065ADN-F155
Scheda dati:
Product:
Schottky Silicon Carbide Diodes
Mounting Style:
Through Hole
Configuration:
Dual Anode Common Cathode
Technology:
SiC
EDA/CAD Modelli:
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The FFSH4065ADN-F155 is a high-performance Silicon Carbide Schottky diode designed for demanding power electronic applications. With a current rating of 40 A and a voltage rating of 650 V, this diode offers superior efficiency and reliability. The TO-247-3L package ensures easy installation and excellent thermal performance, making it suitable for a wide range of industrial and commercial applications. Whether used in rail systems, tube amplifiers, or other high-power systems, the EliteSiC technology ensures optimal performance and long-term stability
Product Category | Schottky Diodes & Rectifiers | Product | Schottky Silicon Carbide Diodes |
Mounting Style | Through Hole | Configuration | Dual Anode Common Cathode |
Technology | SiC | If - Forward Current | 40 A |
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage | 650 V | Vf - Forward Voltage | 1.5 V |
Ifsm - Forward Surge Current | 105 A | Ir - Reverse Current | 200 uA |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 175 C |
Pd - Power Dissipation | 150 W | Product Type | Schottky Diodes & Rectifiers |
Factory Pack Quantity | 30 | Subcategory | Diodes & Rectifiers |
Vr - Reverse Voltage | 650 V |
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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