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FDS9958 +BOM

Dual P-Channel MOSFET Array Transistor 60V 2.9A 8-Pin SOIC T/R

Produttore:

Onsemi
ProduttorePart #:

FDS9958
Scheda dati:

FDS9958 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
Number Of Channels:

2 Channel
EDA/CAD Modelli:

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FDS9958 Descrizione generale

The FDS9958 MOSFETs are crafted using a cutting-edge PowerTrench^® process that is designed to reduce on-state resistance while keeping gate charge low for optimal switching capabilities. These components excel in portable electronics applications such as load switching, power management, battery charging, and protection circuits. With their superior performance and efficiency, the FDS9958 MOSFETs are the ideal choice for engineers looking to enhance the functionality of their devices

Caratteristiche principali

Max r_DON = 80 mΩ at V_GSOFF = -12 V, I_D = -3.1 A
Min r_RSET = 120 mΩ at V_GRESET = 10 V, I_R = 2.2 A
Max T_JUNCTION = -40°C to 150°C at humidity <= 60%
RoHS compliant for lead-free soldering
UL recognized component for safety and reliability
ESD protection circuitry with V_ZAP ≥ 2 kV

Applicazione

Multiple functions available
Convenient power control

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	2 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Id - Continuous Drain Current	2.9 A	Rds On - Drain-Source Resistance	105 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V
Qg - Gate Charge	23 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	2 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	PowerTrench
Series	FDS9958	Configuration	Dual
Fall Time	6 ns	Height	1.75 mm
Length	4.9 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	3 ns	Factory Pack Quantity	2500
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	2 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	27 ns	Typical Turn-On Delay Time	6 ns
Width	3.9 mm	Unit Weight	0.006596 oz

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