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FDS9926A +BOM

20V 6.5A 30mΩ@6.5A,4.5V 900mW 1.5V@250uA 2 N-Channel SOP-8 MOSFETs ROHS

Produttore:

Onsemi
ProduttorePart #:

FDS9926A
Scheda dati:

FDS9926A Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

2 Channel
EDA/CAD Modelli:

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FDS9926A Descrizione generale

Engineered for optimal power management, the FDS9926A MOSFETs are a reliable choice for engineers looking to enhance their electronic designs. The PowerTrench process ensures high efficiency and performance, making these N-Channel MOSFETs ideal for a wide range of applications. With a gate drive voltage range of 2.5V to 10V, these MOSFETs provide the flexibility needed for diverse circuit requirements

Caratteristiche principali

Robust and durable construction
Fast startup time
Advanced noise reduction
Low distortion transmission
High speed processing
Efficient data compression

Applicazione

Compact size
Energy-efficient solution
Customizable settings

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	2 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Id - Continuous Drain Current	6.5 A	Rds On - Drain-Source Resistance	30 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 10 V, + 10 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	600 mV
Qg - Gate Charge	9 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	2 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	PowerTrench
Series	FDS9926A	Configuration	Dual
Fall Time	4 ns	Forward Transconductance - Min	22 S
Height	1.75 mm	Length	4.9 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	9 ns
Factory Pack Quantity	2500	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	2 N-Channel	Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	15 ns	Typical Turn-On Delay Time	8 ns
Width	3.9 mm	Part # Aliases	FDS9926A_NL
Unit Weight	0.006596 oz

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