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Dual N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 100V, 2.7A, 105mΩ
SOIC-8Produttore:
ProduttorePart #:
FDS89161
Scheda dati:
Pbfree Code:
Yes
Part Life Cycle Code:
Active
Reach Compliance Code:
compliant
ECCN Code:
EAR99
EDA/CAD Modelli:
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Elevate your electronic projects with the inclusion of this innovative N-Channel MOSFET, meticulously crafted using a cutting-edge Power Trench® technology that enhances key attributes like on-resistance, switching performance, and overall robustness. From reducing power losses to improving the efficiency of electrical circuits, the FDS89161 MOSFET stands out as a premier choice for professionals seeking top-tier components to drive their innovations forward
Source Content uid | FDS89161 | Pbfree Code | Yes |
Part Life Cycle Code | Active | Reach Compliance Code | compliant |
ECCN Code | EAR99 | Factory Lead Time | 24 Weeks |
Application | SWITCHING | Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 Code | R-PDSO-G8 |
Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 2 |
Number of Terminals | 8 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Surface Mount | YES | Terminal Finish | MATTE TIN |
Terminal Form | GULL WING | Terminal Position | DUAL |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 | Transistor Element Material | SILICON |
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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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