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FDS8884 +BOM

N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 8.5A, 23mΩ

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

FDS8884
Scheda dati:

FDS8884 Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelli:

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FDS8884 Descrizione generale

Focused on improving the operational efficiency of DC/DC converters, the FDS8884 N-Channel MOSFET offers a tailored solution for both synchronous and conventional switching PWM controllers. With a keen emphasis on reducing gate charge, lowering RDS(on), and enhancing switching speed, this MOSFET is optimized to deliver optimal performance and reliability in various power management applications

Caratteristiche principali

High-frequency performance up to 1MHz
Low leakage current for high-reliability applications
Pulse withstand capability for inductive load switching
High-voltage rating for high-side switching applications

Applicazione

Great for all occasions
Flexible and versatile
Perfect for any project

Specifiche

Source Content uid	FDS8884	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	4 Weeks
Additional Feature	FAST SWITCHING	Avalanche Energy Rating (Eas)	32 mJ
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	30 V
Drain Current-Max (ID)	8.5 A	Drain-source On Resistance-Max	0.023 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 Code	R-PDSO-G8
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	8
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	2.5 W	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	40 A
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Finish	MATTE TIN	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

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