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FDS86242 +BOM

Experience superior power management with FDS86242, an N-channel PowerTrench® MOSFET featuring a 150V voltage tolerance, 4

Produttore:

Onsemi
ProduttorePart #:

FDS86242
Scheda dati:

FDS86242 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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FDS86242 Descrizione generale

The FDS86242 N-Channel MOSFET is a prime example of advanced semiconductor technology. Utilizing a specialized Power Trench® process, this MOSFET offers optimized performance in terms of low on-state resistance (rDS(on)), switching speed, and ruggedness. Engineers and designers can rely on this MOSFET to deliver high performance and reliability in a variety of power management applications

Caratteristiche principali

Faster processing speeds with low latency
Elegant and sleek design for premium look
Durable construction for long-lasting performance
Efficient power management for extended battery life
Advanced safety features for peace of mind

Applicazione

Versatile Applications
Seamless Compatibility
Adaptable Output Options

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	150 V
Id - Continuous Drain Current	20 A	Rds On - Drain-Source Resistance	56.3 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	4 V
Qg - Gate Charge	4.9 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	5 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	PowerTrench
Series	FDS86242	Configuration	Single
Fall Time	10 ns	Forward Transconductance - Min	11 S
Height	1.75 mm	Length	4.9 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	10 ns
Factory Pack Quantity	2500	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Type	N-Channel Power Trench MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	23 ns	Typical Turn-On Delay Time	16 ns
Width	3.9 mm	Unit Weight	0.004586 oz

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