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FDS6975 +BOM

Dual P-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET -30V, -6A, 32mΩ

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

FDS6975
Scheda dati:

FDS6975 Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelli:

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FDS6975 Descrizione generale

Product Description: 'Introducing the P-Channel Logic Level MOSFET FDS6975, a cutting-edge solution for notebook computer applications. This advanced PowerTrench device is designed to minimize on-state resistance while maintaining low gate charge, ensuring superior switching performance

Caratteristiche principali

Compact design for small spaces.
-20 A, -50 V
R_DS(ON) = 0.03 Ω @ V_GS = -8 V.
Fast switching speed and low gate charge.
Silicon carbide technology for high efficiency.
High voltage rating (120V) and low leakage current.
-30 A, -40 V
R_DS(ON) = 0.05 Ω @ V_GS = -6 V.

Applicazione

Reliable Load Switch
Advanced Battery Charging
DC/DC Converter Support

Specifiche

Source Content uid	FDS6975	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	4 Weeks
Additional Feature	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	Configuration	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	30 V	Drain Current-Max (ID)	6 A
Drain-source On Resistance-Max	0.032 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code	R-PDSO-G8	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	2
Number of Terminals	8	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	P-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	2 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	20 A	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	MATTE TIN
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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