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Vedi Specifiche Tecniche

FDS6912A +BOM

Tape and Reel packaging

Produttore:

Onsemi
ProduttorePart #:

FDS6912A
Scheda dati:

FDS6912A Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

2 Channel
EDA/CAD Modelli:

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FDS6912A Descrizione generale

The FDS6912A N-Channel Logic Level MOSFETs are designed for optimal performance in low voltage and battery powered applications. Using an advanced PowerTrench process, these MOSFETs minimize on-state resistance while still delivering superior switching capabilities. This makes them ideal for situations where low power loss and fast switching speeds are crucial, ensuring efficiency and reliability in various electronic systems

Caratteristiche principali

Ultra-low RDS(on)
Silicon carbide substrate
Fast recovery time
Low capacitance and high frequency stability
High voltage capability and high current handling
Advanced trench technology for low RDS(on)

Applicazione

Perfect for everyday use.
Great for all occasions.
Versatile and practical.

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	2 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	6 A	Rds On - Drain-Source Resistance	28 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V
Qg - Gate Charge	8.1 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1.6 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	PowerTrench
Series	FDS6912A	Configuration	Dual
Fall Time	5 ns	Forward Transconductance - Min	25 S
Height	1.75 mm	Length	4.9 mm
Product	MOSFET Small Signals	Product Type	MOSFET
Rise Time	5 ns	Factory Pack Quantity	2500
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	2 N-Channel
Type	MOSFET	Typical Turn-Off Delay Time	23 ns
Typical Turn-On Delay Time	8 ns	Width	3.9 mm
Part # Aliases	FDS6912A_NL	Unit Weight	0.006596 oz

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