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FDS6898AZ +BOM

FDS6898AZ is a N-Channel SOIC-8 MOSFET with a voltage rating of 20V and a current rating of 9.4A

Produttore:

FAIRCHILD
ProduttorePart #:

FDS6898AZ
Scheda dati:

FDS6898AZ Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

2 Channel
EDA/CAD Modelli:

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FDS6898AZ Descrizione generale

Engineered for superior switching speed and low power loss, these MOSFETs are the go-to choice for designers working on battery-powered devices or systems where energy efficiency is paramount. The advanced manufacturing process employed in their fabrication results in a robust component that can handle high frequencies with ease, making them suitable for a wide range of applications

Caratteristiche principali

High-speed switching capability
Low R_DS(ON) and high current handling
Advanced trench technology for low ON-resistance
Robust ESD protection with 10 kV HBM
Fast fall-time and rise-time characteristics
High voltage blocking capability up to 30 V

Applicazione

Essential for all uses.
Handy for different tasks.
Effective in various situations.

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	2 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Id - Continuous Drain Current	9.4 A	Rds On - Drain-Source Resistance	14 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 12 V, + 12 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	500 mV
Qg - Gate Charge	23 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	2 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	PowerTrench
Series	FDS6898AZ	Configuration	Dual
Fall Time	16 ns	Forward Transconductance - Min	47 S
Height	1.75 mm	Length	4.9 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	15 ns
Factory Pack Quantity	2500	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	2 N-Channel	Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	34 ns	Typical Turn-On Delay Time	10 ns
Width	3.9 mm	Part # Aliases	FDS6898AZ_NL
Unit Weight	0.006596 oz

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