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FDS6675BZ +BOM

30V 11A 13mΩ@10V,11A 2.5W 3V@250uA P Channel SO-8 MOSFETs ROHS

Produttore:

Onsemi
ProduttorePart #:

FDS6675BZ
Scheda dati:

FDS6675BZ Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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FDS6675BZ Descrizione generale

With its PowerTrench technology and low on-state resistance, the FDS6675BZ offers superior power management capabilities that are essential for modern electronic devices. By reducing power loss and maximizing energy efficiency, this MOSFET helps prolong battery life and improve overall system performance. Its versatile application range and reliable operation make it a go-to choice for engineers and designers seeking high-performance components for their projects

Caratteristiche principali

Low noise and high efficiency for reduced heat generation
High surge current handling up to 20A
RDS(on) of 18mΩ at -5V and 15A
Suitable for renewable energy systems and solar power applications

Applicazione

Improved efficiency
User-friendly design
Enhanced performance

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	11 A	Rds On - Drain-Source Resistance	10.8 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 25 V, + 25 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V
Qg - Gate Charge	62 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	2.5 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	PowerTrench
Series	FDS6675BZ	Configuration	Single
Fall Time	60 ns	Forward Transconductance - Min	34 S
Height	1.75 mm	Length	4.9 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	7.8 ns
Factory Pack Quantity	2500	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 P-Channel	Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	120 ns	Typical Turn-On Delay Time	3 ns
Width	3.9 mm	Unit Weight	0.004586 oz

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