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FDS5680 +BOM

N-Channel PowerTrenchTM MOSFET, 60V, 8A, 20mΩ

FDS5680 Descrizione generale

Designed for optimal efficiency, the FDS5680 N-Channel Logic Level MOSFET utilizes advanced PowerTrench technology to deliver superior on-state resistance reduction and fast switching speeds. A perfect fit for low voltage and battery-powered applications, this MOSFET excels in scenarios where minimizing power loss is critical. With its innovative design and top-notch performance, the FDS5680 sets a new standard for MOSFETs in the realm of modern electronics engineering

Caratteristiche principali

  • Precision control over power delivery
  • Improved fault tolerance and detection
  • Enhanced safety and protection features
  • Simplified system integration and setup

Applicazione

  • Advanced technology
  • Multiple applications
  • Cost-effective solution

Specifiche

Source Content uid FDS5680 Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Obsolete Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 60 V
Drain Current-Max (ID) 8 A Drain-source On Resistance-Max 0.02 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR Feedback Cap-Max (Crss) 100 pF
JESD-30 Code R-PDSO-G8 JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 1
Number of Terminals 8 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 °C Operating Temperature-Min -55 °C
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 2.5 W Pulsed Drain Current-Max (IDM) 50 A
Qualification Status Not Qualified Surface Mount YES
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - annealed Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON
Turn-off Time-Max (toff) 76 ns Turn-on Time-Max (ton) 40 ns

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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