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FDPF770N15A +BOM

N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 10A, 77mΩ

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

FDPF770N15A
Scheda dati:

FDPF770N15A Scheda dati (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

10A (Tc)
EDA/CAD Modelli:

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FDPF770N15A Descrizione generale

The FDPF770N15A is a high-performance N-Channel MOSFET designed for applications that require low on-state resistance and fast switching speeds. Using an advanced PowerTrench® process, this MOSFET delivers superior performance while maintaining efficiency. Whether you need to control power in a motor drive or regulate voltage in a power supply, the FDPF770N15A offers reliable and efficient operation

Caratteristiche principali

R_G = 6.8Ω (Typ.) @ V_GS = 10V, I_D = 10A
Low Gate Charge and EMI Reduction Capability
I_D = 7A (Typ.) @ V_GS = 10V, R_DS(on) = 20mΩ
Pulse Width Modulation Ready
Suitable for High-Frequency and Low-Voltage Applications
Compliant to RoHS and WEEE Directives

Applicazione

Unique Lifestyle Products
Modern Home Entertainment
Sleek Multimedia Devices

Specifiche

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	150 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	77mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	765 pF @ 75 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	21W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole

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