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FDP150N10 +BOM

Low-voltage, high-current N-Channel MOSFET for robust performanc

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

FDP150N10
Scheda dati:

FDP150N10 Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelli:

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FDP150N10 Descrizione generale

MOSFET, N CH, 100V, 57A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:57A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.012ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:110W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Pulse Current Idm:228A

Caratteristiche principali

High-efficiency solar energy conversion
Low-voltage startup capability
Fast charging time
Long product life cycle
Wide operating temperature range for residential applications
Advanced invertor control for grid stability

Applicazione

Compact Power Inverters
Advanced Power Electronics
Flexible Power Solutions

Specifiche

Source Content uid	FDP150N10	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	58 Weeks
Application	SWITCHING	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	TO-220AB
JESD-30 Code	R-PSFM-T3	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Surface Mount	NO
Terminal Finish	MATTE TIN	Terminal Form	THROUGH-HOLE
Terminal Position	SINGLE	Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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