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FDN359AN +BOM

23 N-Channel MOSFET 30V 2.7A

FDN359AN Descrizione generale

The FDN359AN N-Channel Logic Level MOSFET from Fairchild Semiconductor is specifically designed for low voltage and battery powered applications. Using the advanced PowerTrench process, this MOSFET delivers minimal on-state resistance and superior switching performance, making it an ideal choice for applications where low power loss and fast switching are crucial. From handheld devices to automotive systems, the FDN359AN offers reliable and efficient performance in a variety of low voltage settings

Caratteristiche principali

  • High Speed, Low Power
  • Ultra Fast Switching Time
  • Compact, High Current Package

Applicazione

  • Multiple input options
  • Portable and lightweight
  • User-friendly interface

Specifiche

Source Content uid FDN359AN Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Active Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 Factory Lead Time 4 Weeks
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 30 V Drain Current-Max (ID) 2.7 A
Drain-source On Resistance-Max 0.046 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PDSO-G3 JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 1
Number of Terminals 3 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 °C Operating Temperature-Min -55 °C
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.5 W Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES Terminal Finish Matte Tin (Sn) - annealed
Terminal Form GULL WING Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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