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FDN335N +BOM

20V 1.7A 500mW 70mΩ@4.5V,1.7A 1.5V@250uA N Channel SOT-23-3 MOSFETs ROHS

Produttore:

Onsemi
ProduttorePart #:

FDN335N
Scheda dati:

FDN335N Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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FDN335N Descrizione generale

Featuring a N-channel polarity, the FDN335N has a maximum continuous drain current of 1.7A and can withstand a drain-source voltage of up to 20V. The low on-resistance of 0.07ohm at a test voltage of 4.5V ensures minimal power loss during operation. With a threshold voltage of 900mV, this MOSFET transistor provides accurate switching control in electronic circuits requiring precise power management. Compact and reliable, the FDN335N is an ideal choice for applications demanding high efficiency and performance

Caratteristiche principali

Fully automated testing
Real-time clock accuracy
5V tolerant inputs
High-speed data transfer
Microcontroller compatible
Low power consumption mode

Applicazione

Adaptable for different uses
High-performance DC/DC functionality
Seamless load switching

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Id - Continuous Drain Current	1.7 A	Rds On - Drain-Source Resistance	55 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 8 V, + 8 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	400 mV
Qg - Gate Charge	5 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	500 mW
Channel Mode	Enhancement	Tradename	PowerTrench
Series	FDN335N	Configuration	Single
Fall Time	8.5 ns	Forward Transconductance - Min	7 S
Height	1.12 mm	Length	2.9 mm
Product	MOSFET Small Signals	Product Type	MOSFET
Rise Time	8.5 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Type	MOSFET	Typical Turn-Off Delay Time	11 ns
Typical Turn-On Delay Time	5 ns	Width	1.4 mm
Part # Aliases	FDN335N_NL	Unit Weight	0.001058 oz

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