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FDMS86252 +BOM

FDMS86252 PowerTrench MOSFET

FDMS86252 Descrizione generale

The FDMS86252 is a high-performance N-channel MOSFET designed for power applications. With a continuous drain current of 16A and a drain-source voltage of 150V, this transistor offers reliable and efficient performance in a variety of circuit designs. Its low on-resistance of 0.0439ohm minimizes power losses, making it an ideal choice for high-current applications

Caratteristiche principali

  • Ergonomic Design for Easy Handling
  • Low Input Capacitance Technology
  • Max Ciss = 10pF at VGS = 5V, ID = 3.8A
  • Thermal Feedback Control for Stable Operation
  • MSL1 Robust Package Design for High Reliability
  • High-Performance Power Switching Application

Applicazione

  • Great for all occasions.
  • Perfect for everyday use.
  • Suitable for any setting.

Specifiche

Source Content uid FDMS86252 Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Active Reach Compliance Code not_compliant
ECCN Code EAR99 Factory Lead Time 61 Weeks
Avalanche Energy Rating (Eas) 50 mJ Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 150 V
Drain Current-Max (ID) 4.6 A Drain-source On Resistance-Max 0.051 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JEDEC-95 Code MO-240AA
JESD-30 Code R-PDSO-F5 JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 1
Number of Terminals 5 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 °C Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 69 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 20 A Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES Terminal Finish MATTE TIN
Terminal Form FLAT Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30 Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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