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FDMS86201 +BOM

N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 120V, 49A, 11.5mΩ

Produttore:

ON
ProduttorePart #:

FDMS86201
Scheda dati:

FDMS86201 Scheda dati (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
EDA/CAD Modelli:

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FDMS86201 Descrizione generale

Introducing the FDMS86201, a state-of-the-art N-Channel MOSFET crafted using the revolutionary Power Trench® process. This innovative technology is meticulously engineered to minimize on-state resistance without compromising on switching performance. The FDMS86201 stands out as a top choice for demanding applications where power efficiency and reliability are paramount

Caratteristiche principali

Robust Package Design for High Reliability
Advanced Silicon and Package Combination
Low On-Resistance and High Efficiency Technology
High Current Handling with Fast Switching Speed
Ultra Low Input Capacitance for Minimized EMI
High Voltage Tolerant with Immunity to Electrostatic Discharge

Applicazione

Great product for all needs.
Perfect for a variety of tasks.
Versatile and reliable choice.

Specifiche

Product Category	MOSFET	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	120 V	Id - Continuous Drain Current	65 A
Rds On - Drain-Source Resistance	9.6 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	4 V	Qg - Gate Charge	32 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	104 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	PowerTrench	Series	FDMS86201
Configuration	Single	Fall Time	7.1 ns
Forward Transconductance - Min	39 S	Height	1.1 mm
Length	6 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	7.7 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Type	N-Channel Power Trench MOSFET	Typical Turn-Off Delay Time	27 ns
Typical Turn-On Delay Time	13 ns	Width	5 mm
Unit Weight	0.002402 oz

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