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N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 100V, 81A, 8mΩ
PQFN EPProduttore:
ProduttorePart #:
FDMS86103L
Scheda dati:
Pbfree Code:
Yes
Part Life Cycle Code:
Active
Reach Compliance Code:
not_compliant
ECCN Code:
EAR99
EDA/CAD Modelli:
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Engineered with precision, the FDMS86103L N-Channel MOSFET sets a new standard in power electronics. Utilizing the latest Power Trench® technology, this MOSFET boasts minimized on-state resistance for maximum efficiency without compromising on switching performance. Whether used in automotive, industrial, or consumer electronics, this MOSFET delivers unparalleled reliability and power handling capabilities, ensuring optimal operation in demanding environments
Source Content uid | FDMS86103L | Pbfree Code | Yes |
Part Life Cycle Code | Active | Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN Code | EAR99 | Factory Lead Time | 49 Weeks |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 312 mJ | Case Connection | DRAIN |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 100 V |
Drain Current-Max (ID) | 12 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.008 Ω |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95 Code | MO-240AA |
JESD-30 Code | R-PDSO-F5 | JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 5 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 150 °C | Operating Temperature-Min | -55 °C |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 104 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 100 A |
Qualification Status | Not Qualified | Surface Mount | YES |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - annealed | Terminal Form | FLAT |
Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
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Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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