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FDMS86101A +BOM

N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 60A, 8mΩ

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

FDMS86101A
Scheda dati:

FDMS86101A Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelli:

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FDMS86101A Descrizione generale

When it comes to power management, the FDMS86101A is a top contender. Its superior on-state resistance and efficient switching performance make it an excellent choice for modern electronic devices. Whether you're designing a high-performance computer or a state-of-the-art industrial system, this N-Channel MOSFET delivers the reliability and power-handling capabilities you need

Caratteristiche principali

Robust Package Design
High Current Capable
Low RDS(on) and High Efficiency
Advanced Silicon Technology
Shielded Gate Structure
100% Tested for Reliability

Applicazione

Reliable and durable

Specifiche

Source Content uid	FDMS86101A	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	57 Weeks
Avalanche Energy Rating (Eas)	486 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	100 V
Drain Current-Max (ID)	13 A	Drain-source On Resistance-Max	0.008 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	MO-240AA
JESD-30 Code	R-PDSO-F5	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	5	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	104 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	180 A	Surface Mount	YES
Terminal Finish	Matte Tin (Sn) - annealed	Terminal Form	FLAT
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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