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FDMS5672 +BOM

N-Channel MOSFET with a maximum current rating of 10.6 A and a voltage tolerance of 60 V from ON Semiconductor

Produttore:

Onsemi
ProduttorePart #:

FDMS5672
Scheda dati:

FDMS5672 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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FDMS5672 Descrizione generale

Featuring cutting-edge technology, the FDMS5672 is engineered to deliver unparalleled efficiency in power conversion applications. Its unique combination of low RDS(on), low ESR, low total and Miller gate charge sets it apart from traditional power devices. This groundbreaking device is specially designed for high frequency DC to DC converters, providing exceptional performance and reliability for any power conversion task

Caratteristiche principali

Max voltage: 100V
Typ current: 5A at 50Hz
Low noise operation
RoHS compliant device
Efficiency up to 95%
Pulse width modulation support

Applicazione

A must-have for every project.
Top choice for multiple tasks.
Essential for various applications.

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Id - Continuous Drain Current	10.6 A	Rds On - Drain-Source Resistance	11.5 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2 V
Qg - Gate Charge	45 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	2.5 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	UltraFET
Series	FDMS5672	Configuration	Single
Fall Time	8 ns	Forward Transconductance - Min	26 S
Height	0.8 mm	Length	6 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	17 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Type	Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	22 ns	Typical Turn-On Delay Time	16 ns
Width	5 mm	Unit Weight	0.008148 oz

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