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PQFN package for efficient circuit desig
PQFN-8Produttore:
ProduttorePart #:
FDMS4D0N12C
Scheda dati:
FET Type:
N-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):
120 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
18.5A (Ta), 114A (Tc)
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The FDMS4D0N12C N-Channel MV MOSFET represents the pinnacle of technological innovation, utilizing advanced PowerTrench® and Shielded Gate technology to achieve unparalleled performance. By prioritizing the minimization of on-state resistance, this MOSFET ensures optimal efficiency while maintaining superior switching capabilities. Its best-in-class soft body diode further enhances its reliability, making it the perfect choice for applications where performance is non-negotiable
FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18.5A (Ta), 114A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 67A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 370A | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 82 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6460 pF @ 60 V |
FET Feature | - | Power Dissipation (Max) | 2.7W (Ta), 106W (Tc) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
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Qualità garantita
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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